Nuove indiscrezioni sui futuri M5 Pro e M5 Max di Apple tornano a ribadire alcuni aspetti tecnici già emersi nelle scorse settimane, aggiungendo però un dettaglio interessante: una densità di transistor leggermente superiore rispetto agli attuali M4 Pro e M4 Max.
Secondo quanto condiviso su Weibo dal leaker "Fixed-focus digital cameras", i nuovi SoC adotteranno il packaging SoIC (Small Outline Integrated Circuit) di TSMC insieme a un design chiplet 2.5D, soluzione che dovrebbe garantire vantaggi sia in termini di dissipazione del calore sia di flessibilità progettuale.
La tecnologia InFO adottata da Apple M5 Pro e M5 Max
Il passaggio dalla tecnologia InFO (Integrated Fan-Out) a un'architettura 2.5D rappresenterebbe un cambiamento significativo per Apple Silicon. L'approccio chiplet consentirebbe di combinare più moduli separati migliorando la scalabilità e permettendo configurazioni più personalizzate tra M5 Pro e M5 Max.
Questo potrebbe tradursi in varianti con un numero differente di core grafici o combinazioni più efficienti tra prestazioni e consumi, mantenendo al contempo i costi di produzione sotto controllo grazie alla maggiore resa produttiva.
Uno dei punti chiave del rumor riguarda la dissipazione: si parla di "eccellente" gestione termica, aspetto cruciale soprattutto nei MacBook Pro e nelle workstation compatte.
L'adozione del nodo produttivo N3P per Apple M5 Pro e M5 Max
La possibile adozione del nodo produttivo N3P a 3 nanometri di TSMC, in sostituzione dell'attuale N3E, potrebbe spiegare l'aumento della densità dei transistor rispetto alla generazione M4.
Anche se Apple non ha mai comunicato ufficialmente il numero di transistor degli M5, il passaggio a un processo più evoluto suggerisce un miglioramento nell'efficienza per millimetro quadrato e un potenziale incremento delle prestazioni.
Infine, il leaker sostiene che il lancio potrebbe avvenire già a marzo. Prendiamo con cautela, ovviamente, tali informazioni e rimaniamo in attesa di eventuali conferme e comunicazioni ufficiali.
